一种用于提高碳化硅外延片均匀性的载具及其使用方法.pdfVIP

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2023-11-22 发布于四川
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一种用于提高碳化硅外延片均匀性的载具及其使用方法.pdf

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本发明所提供的用于提高碳化硅外延片均匀性的载具包括载具本体和填充组件，载具本体上设有凹槽，填充组件包括多个不同热导率的填充块，填充块与凹槽相适配，填充块设置在凹槽内，热导率不同，导致设置在载具本体上的碳化硅晶片温度升高的效率不同，从而提高碳化硅晶片在外延过程中的温度均一性。本发明还提供了一种用于提高碳化硅外延片均匀性载具的使用方法，包括以下步骤，步骤S1，根据外延片外延层温度不均匀性与载具的径向是否存在相关性，选择不同样式的载具本体和填充组件；步骤S2，根据外延片外延层的厚度与对比区域的差异值，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117089926 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202311360431.4 (22)申请日 2023.10.20 (71)申请人杭州海乾半导体有限公司地址 3