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一种红外发光二极管的外延片及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-11-22 发布于四川
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一种红外发光二极管的外延片及其制备方法.pdf

    本申请提供一种红外发光二极管的外延片及其制备方法，红外发光二极管的外延片包括依次层叠的：掺Si的GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型电流扩展层、n型限制层、有源区、插入层、电子阻挡层、p型限制层、p型电流扩展层、p型欧姆接触层；有源区依次包括：第一有源区、有源区插入层、第二有源区；第一有源区为InGaAs阱层和AlGaAs垒层；有源区插入层为包括第一位错阻挡层InGaP/AlxGa(1‑x)As组分突变层及AlxGa(1‑x)As缓冲层，其中x＜0.12；第二有源区周期数、结构与第一有源区相同

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117096235 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202311121596.6 H01L 33/02 (2010.01)

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