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具有单侧电容器的半导体结构的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-11-22 发布于四川
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具有单侧电容器的半导体结构的制备方法.pdf

    本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括：提供一基底；依序形成一第一氮化物层、一第一牺牲层、一第二氮化物层、一第二牺牲层以及一第三氮化物层在该基底上；形成一第一开口以及一第二开口，其中该第一开口暴露在该基底中的一第一着陆垫，而该第二开口暴露在该基底中的一第二着陆垫；形成一第一电极在该第一开口中以及形成一第二电极在该第二开口中；同时移除该第一牺牲层与该第二牺牲层；以及形成一导电层以共形于该第一电极、该第二电极、该第一氮化物层、该第二氮化物层以及该第三氮化物层。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117098392 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202310224029.7 (22)申请日 2023.03.09 (30)优先权数据 17/748,201 2022

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