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一种离子注入工艺匹配的方法.pdfVIP

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  • 2023-11-22 发布于四川
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一种离子注入工艺匹配的方法.pdf

    本发明属于半导体制造领域，公开一种离子注入工艺匹配的方法，包括：在基准设备上对硅晶片进行离子注入，退火，测定方块电阻值；在待匹配机台上，进行离子注入，退火，测定方块电阻值；比较两者的电阻值；通过调待匹配机台注入剂量系数，直到令两者的电阻值相等。使用基准设备生产所要加工的晶体管器件芯片，并测器件的阈值电压；使用待匹配机台生产同样的晶体管器件芯片，并测器件的阈值电压；比较两者器件阈值电压，通过修改待匹配机台的注入角度，直到两者器件阈值电压一致。本发明所提出的工艺匹配方法，对于所使用机台的硬件结构没有

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117096016 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202311204765.2 (22)申请日 2023.09.18 (71)申请人 西安卫光科技有限

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