一种横向SiC-JFET器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-11-25 发布于四川
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一种横向SiC-JFET器件及其制备方法.pdf

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本申请实施例提供一种横向SiC‑JFET器件及其制备方法，其中，横向SiC‑JFET器件包括：基底；设置于基底内且位于基底上部区域的底栅层和漂移区；设置于基底内、在底栅层之上且沿第一方向依次布置的源极注入层和沟道层；设置于基底内且位于底栅层之上且沿第二方向依次布设的侧栅层，侧栅层分别位于沟道层的两侧；设置于基底内且位于沟道层之上的顶栅层。本申请实施例提供的横向SiC‑JFET器件及其制备方法通过顶栅层、底栅层、侧栅层将沟道层全包围，能够增强栅极的控制能力，可以减小沟道层的长度，从而提高横向SiC

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117117001 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202311028227.2 H01L 29/16 (2006.01) (22)申请日 2023.08.