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本申请提供一种锗硅异质结晶体管及其制备方法，其中制备方法包括：提供一衬底，衬底表面和沟槽中形成有隔离层，隔离层上形成有牺牲层；在牺牲层中形成锗硅层；形成第一介质层；形成第二介质层；形成第一多晶硅层；去除部分第一多晶硅层、部分第二介质层和部分第一介质层；形成第三介质层；去除牺牲层并形成第二多晶硅层。本申请公开了一种利用牺牲层自对准工艺(SLSA)来简化基区锗硅层与外基区第二多晶硅层的连接工艺，降低了制备难度；同时分别通过自下而上外延工艺得到晶体质量良好的锗硅层和第二多晶硅层，降低了锗硅层和第二多晶
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117116761 A
(43)申请公布日 2023.11.24
(21)申请号 202311110826.9
(22)申请日 2023.08.31
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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