原创力文档- 1
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- 2023-11-25 发布于四川
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一种半导体装置包括第一晶体管的第一源极/漏极结构及第二源极/漏极结构。此半导体装置包括第一晶体管的第一源极/漏极结构及第二源极/漏极结构。此半导体装置包括第二晶体管的第三源极/漏极结构及第四源极/漏极结构。此第二源极/漏极结构及此第三源极/漏极结构合并为共用源极/漏极结构。此半导体装置包括沿第一横向方向延伸且设置在此共用源极/漏极结构上方的第一互连结构。此半导体装置包括插置于此第一互连结构与此共用源极/漏极结构之间的第一介电结构。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 220086050 U
(45)授权公告日 2023.11.24
(21)申请号 202321031080.8 H01L 23/528 (2006.01)
(22)申请日 2023.05
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