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本发明公开了一种晶圆结构的制备方法及晶圆结构。本发明通过减薄PF窗口的场氧化层并对光栅对准标记进行掺杂硼的操作，可降低携带晶圆对准标识的衍射光束通过场氧化层的偏折度，保证衍射光束经过多晶硅层后在掩膜对准标识上成像时的相位一致性，增强步进投影光刻机对准信号强度，从而保证对准精度，降低在其曝光工艺中多晶硅层无法曝光概率，降低光刻图形套偏的风险，减少返工率，降低原材料消耗，保障设备利用率，缩短产品周期，保障产品质量。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117116742 A
(43)申请公布日 2023.11.24
(21)申请号 202311063385.1 G03F 9/00 (2006.01)
(22)申请日 2023.08.2
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