第五章光电子能谱分析分解ppt课件.pptxVIP

• 概述 • X光电子能谱(XPS) • 俄歇电子能谱(AES) 第五章 光电子能谱分析 内容 n 表面科学的主要发展始于20世纪60年代， 它产生的两个最主要的条件是： n 超高真空技术的发展 n 各种表面灵敏的分析技术不断出现 第五章 光电子能谱分析 第一节 概述 “表面”的概念 n 过去，人们认为固体的表面和体内是完全相同 的，以为研究它的整体性质就可以知道它的表 面性质，但是，许多实验证明这种看法是错误 的； n 关于“表面”的概念也有一个发展过程，过去 将1微米厚度看成“表面”，而现在已把1 个 或几个原子层厚度称为“表面”，更厚一点则 称为“表层”。目前，表面分析方法仅对10个 原子层的厚度(小于10nm)范围进行分析。 第五章 光电子能谱分析 n 用一束“粒子” 作为探针来探测样品表面，探针 可以是电子、离子、光子、中性粒子、电场、 磁场、热或声波，在探针作用下，从样品表面 发射或散射粒子或波，它们可以是电子、离子、 光子、中性粒子、电场、磁场、热或声波。检 测这些发射粒子的能量、动量、荷质比、束流 强度等特征，或波的频率、方向、强度、偏振 等情况，就可获得有关表面的信息。 第五章 光电子能谱分析 表面分析方法的特点 探测 粒子 发射 粒子 分析方法名称 简称 主要用途 e X射线光电子谱 XPS 成份 e 紫外线光电子谱 UPS 分子及固体的电子态 e 同步辐射光电子谱 SRPES 成份、原子及电子态 红外吸收谱 IR 原子态 拉曼散射谱 RAMAN 原子态 表面灵敏扩展X射 线吸收谱细致结构 SEXAFS 结构 角分辨光电子谱 ARPES 原子及电子态、结构 I 光子诱导脱附 PSD 原子态 e 俄歇电子能谱 AES 成份 第五章 光电子能谱分析 e －电子 －光子 I－离子 见P273 表5-1 n 表中仅列出了探测粒子为电子和光子的 常用表面分析方法，此外还有离子、中 性粒子、电场、热、声波等各种探测手 段。这些方法各有其特点，而没有万能 的方法，针对具体情况，我们可以选择 其中一种或综合多种方法来分析。 n X射线光电子能谱 XPS n 俄歇电子能谱 AES 第五章 光电子能谱分析 第二节 光电子能谱的基本原理(XPS) 第五章 光电子能谱分析 第五章 光电子能谱分析 X射线光电子能谱法(XPS)， 因最初以化学领域应用为主要目 标，故又称为化学分析用电子能 谱法(ESCA) 。 X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) / Electron Spectroscopy for Chemical Analysis (ESCA) 第五章 光电子能谱分析 1、光电效应 X射线与物质相互 作用时，物质吸收了X 射线的能量并使原子 中内层电子脱离原子 成为自由电子，即X光 电子，如图5-2。 第五章 光电子能谱分析 一、光与物质的相互作用 第五章 光电子能谱分析 2、受激原子的驰豫—去激发 入射光子与原子相互作用产生光电 子，此时原子处于高能激发态，原子存 在趋于平衡的倾向，以达到低能量状态， 这一过程称为驰豫过程， 也称去激发过 程。 第五章 光电子能谱分析 第五章 光电子能谱分析 去激发1 去激发 2 光电子发射可分为三个过程： (1)电子因吸光而激发； (2)释放出的电子向固体表面移动； (3)克服表面势场而射出－脱离固体表面 光电子在固体内移动，最终逸出固体表面 以前所经历的距离，称为光电子逸出深度。 取决于电子的能量和电子平均自由程。 电子平均自由程：指光电子在固体样品表面不 发生非弹性碰撞时逸出的深度。 第五章 光电子能谱分析 3、光电子逸出深度 1、Eb 的计算 1对于气体分子， X射线能量hv用于三部分： 一部分用于克服电子的结合能Eb ，使其激发为 自由的光电子； 一部分转移至光电子使其具有一定的动能Ek ； 一部分成为原子的反冲能Er。 则 hv＝ Eb ＋ Ek ＋ Er 第五章 光电子能谱分析 随受激原子的原子序数增大而减小， 同时受激发源的影响。 二、光电子能谱测量原理 见P277 表5-2 n 对于固体样品， X射线能量用于： n 内层电子跃迁到费米能级，即克服该电子的 结合能Eb； n 电子由费米能级进入真空成为静止电子，即 克服功函数0 ； n 自由电子的动能Ek 。 则 hv＝ Eb ＋ Ek ＋ 0 第五章 光电子能谱分析 n 当样品置于仪器中的样品架上时，样品与仪器样品 架材料之间将产生接触电势 ，这是由于二者的功 函数不同所致，若00，则： n 此电势将加速光电子的运动，使自由电子的动能从 Ek增加到Ek Ek