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- 2023-11-29 发布于四川
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本实用新型公开了一种半导体元件，其包括衬底，第一介质层、第二介质层和第三介质层，依序堆叠在衬底上。源极结构，设置在第一介质层中。漏极结构，设置在第三介质层中。通道结构，贯穿第二介质层，且与源极结构和漏极结构直接接触。栅极结构，设置在通道结构的两侧，其中栅极结构包括导电材料以及栅极介质层，其中栅极介质层沿着导电材料的侧壁和底面，介于导电材料和通道结构、第二介质层之间。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 220106549 U
(45)授权公告日 2023.11.28
(21)申请号 202321513752.9 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
(22)申请日 2023.06.14
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