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- 2023-11-29 发布于四川
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本实用新型公开了半导体器件，所述半导体器件包括衬底、栅极结构、电介质层、插塞孔、插塞间隙壁、金属硅化物层及插塞。栅极结构设置在衬底上，插塞孔设置在电介质层内并部分伸入衬底。插塞间隙壁设置在插塞孔的侧壁上，并暴露出衬底。金属硅化物层设置在插塞孔的底部，其中，部分的衬底夹设在金属硅化物层与插塞间隙壁之间。插塞设置在插塞孔内并物理性接触部分的衬底。如此，通过插塞间隙壁的设置准确地定位金属硅化物层的形成位置与深度，达到改善半导体器件表现的效果。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 220106519 U
(45)授权公告日 2023.11.28
(21)申请号 202321381754.7 H01L 21/28 (2006.01)
(22)申请日 2023.06.
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