一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法.pdfVIP

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2023-11-29 发布于四川
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一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法。（1）在称料之前，将镧系氧化物La2O3、Sm2O3、Nd2O3、Gd2O3在1000℃烧结12小时，将CaCO3置于180℃烘箱中干燥12小时，去除原料中的水和CO2。按设计的化学计量比进行称量。将称量好的原料放入研钵中，加入酒精充分研磨1小时以上，混合均匀后在红外灯下干燥得到样品粉末。由于MoO3容易挥发，需要在称量时过量10%来弥补烧结过程中造成的原料损失。（2）将粉末样品称量0.5g放入压片磨具内，在4Mpa压力压

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117125738 A (43)申请公布日 2023.11.28 (21)申请号 202311130833.5 (22)申请日 2023.09.04 (71)申请人桂林理工大学地址 5