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MOSFET封装结构.pdfVIP

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  • 2023-11-29 发布于四川
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MOSFET封装结构.pdf

    本实用新型公开一种MOSFET封装结构，涉及半导体分立器件技术领域，该种MOSFET封装结构包括管壳本体、载片板、第一芯片、第二芯片和导电件，该第一芯片和第二芯片竖向的设置于载片板上；该导电件与管壳本体之间设置有用于起绝缘作用的导热绝缘片；该第一芯片和第二芯片上均设置有栅极区、漏极区和源极区，该管壳本体上设置有栅极引线、漏极引线和源极引线，该栅极区与栅极引线相连接，该漏极区与漏极引线相连接，该源极区与导电件相连接，该导电件与源极引线相连接；通过采用导电件实现了源极区与导电件相连接，该导电件与源极

    (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 220106514 U (45)授权公告日 2023.11.28 (21)申请号 202321259045.1 (22)申请日 2023.05.23 (73)专利权人 深圳吉华微特电子有限公司 地址

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