模拟电子技术综合复习题 有答案 .docxVIP

、 在 本 征 半 导 体 中 掺 入 微 量 的 D 价 元 素 ， 形 成 N 型 半 导 体 。 二 B. 三 C. 四 D. 五 、在 N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为 P 型半导体。 二 B. 三 C. 四 D. 五 、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。 大于 B. 等于 C. 小于 、在 P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。 大于 B. 等于 C. 小于 、本征半导体温度升高以后 自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 、空间电荷区是由 C 构成的。 电子 B. 空穴 C. 离子 D. 分 子 7 、 PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 、稳压管的稳压区是其工作在 C 。 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 前者正偏、后者反偏 、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 、工作在放大区的某三极管，如果当 I B 变为 2mA ，那么它的 β 约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 从 12 μ A 增大到 22 μ A 时， I C 从 1mA 、当场效应管的漏极直流电流 I D A 。 从 2mA 变为 4mA 时，它的低频跨