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本公开涉及一种存储器胞元中的介电工程隧道区域。多种应用可包含具有存储器胞元的存储器装置，其中每一存储器胞元可具有位于所述存储器胞元的沟道结构与所述存储器胞元的电荷存储区域之间的工程隧道区域。所述工程隧道区域可针对所述存储器区域的经改进读取、编程及保留操作。在各种实施例中，所述工程隧道区域可通过插入介电常数相对于氮化硅较低的材料及介电常数相对于氮化硅较高的材料具有多个具有界定常数调制的介电区域。在各种实施例中，存储器胞元的所述工程隧道区域可具有多个介电区域，其中材料在所述存储器胞元的所述电荷存储区
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117156858 A
(43)申请公布日 2023.12.01
(21)申请号 202310636863.7 G11C 13/00 (2023.01)
(22)申请日 2023.05.
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