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衬底支撑件包括盘体，该盘体具有由厚度隔开的上表面和下表面。上表面具有围绕旋转轴线延伸的圆形凹部、围绕凹部周向延伸的位于凹部径向外侧的环形突出部以及围绕突出部周向延伸的位于突出部径向外侧的环形边缘部。凹部具有圆形穿孔部和环形未穿孔部。穿孔部围绕旋转轴线延伸，并限定两个或更多个穿孔，以将蚀刻剂释放到腔中，该腔限定在凹部和位于衬底支撑件上的衬底的背面之间。未穿孔部位于穿孔部的径向外侧，并围绕穿孔部周向延伸，以限制蚀刻剂对衬底背面的蚀刻。还描述了半导体处理系统和材料层沉积方法。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117144470 A
(43)申请公布日 2023.12.01
(21)申请号 202310609068.9 C30B 25/14 (2006.01)
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