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本发明公开了一种三维堆叠铁电电容交叉点阵存储器及其制备方法，属于半导体存储器领域。该存储器包括多层交叠的字线金属与隔离层结构，在上述结构内设置若干个存储单元柱；所述存储单元柱由相互包裹的内层金属位线与外层铁电介质层构成，以水平排列的多个存储单元柱为一垂直交叉点阵铁电电容阵列，该阵列中每层字线金属和单个存储单元柱相交构成存储单元，通过对字/位线同时施加电压，存储单元完成访问操作。本发明利用介质层三维堆叠的能力，将铁电电容集成在存储单元柱与字线金属交叠区域，使单元面积内的存储单元数量大幅提升，突破传
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117156864 A
(43)申请公布日 2023.12.01
(21)申请号 202311107674.7
(22)申请日 2023.08.30
(71)申请人 北京超弦存储器研究院
地址 10
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