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- 2023-12-02 发布于四川
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本发明公开一种石墨烯分离膜的制备方法,包括:通过化学气相沉积法在金属基底上生长石墨烯膜,所述化学气相沉积通过控制生长条件控制生长的石墨烯膜的晶畴密度。还公开一种通过上述方法制备的石墨烯分离膜。本发明利用晶界进行缺陷设计与引入,一方面通过对石墨烯生长过程中晶界数目的调控,可以实现对质子通量在高达2个数量级范围内的控制;另一方面,对于后续刻蚀在石墨烯中引入纳米孔方面,不仅提高了石墨烯膜制备的可控性,并且能进一步提高离子输运通量和选择性,所得到的石墨烯膜质子通量比传统高聚物膜高出3‑4个数量级,比现有
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117142462 A
(43)申请公布日 2023.12.01
(21)申请号 202210561618.X
(22)申请日 2022.05.23
(71)申请人 北京石墨烯研究院
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