MOSFET的形成方法及MOSFET结构.pdfVIP

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2023-12-02 发布于四川
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MOSFET的形成方法及MOSFET结构.pdf

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本发明提供了一种MOSFET的形成方法及MOSFET结构，MOSFET的形成方法包括：提供衬底；在衬底内形成多个间隔的栅极结构；在栅极结构的两侧的衬底内形成源端；在栅极结构的表面形成层间介质层；在层间介质层和衬底内形成通孔，通孔位于栅极结构之间的衬底内，并且通孔与源端的侧面接触；将通孔的侧壁分为上下相邻两个部分，第一部分侧壁位于衬底上，第二部分侧壁位于衬底内，刻蚀通孔的第一部分侧壁，以露出部分衬底的表面；向通孔内填充金属，以形成接触孔。本发明增加了接触孔和源端的接触面积，从而，能够将源端的电流更

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117153685 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202311111180.6 (22)申请日 2023.08.30 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地