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本发明公开了一种沟槽栅半导体器件，栅极导电材料层的顶部表面低于栅极沟槽的顶部表面，顶部子沟槽具有经过自对准扩展的第一扩展区；在顶部子沟槽中填充有第一介质层。接触孔开口形成在各栅极沟槽之间且由两个相邻的第一介质层自对准定义；接触孔开口穿过体区，由位于第一扩展区底部的栅极沟槽和接触孔开口之间的半导体衬底的区域形成平台区且由第一扩展区中的第一介质层自对准定义；接触孔开口的底部填充有顶部表面高于体区的底部表面的第二介质层；位于第二介质层顶部的接触孔开口中填充有金属并作为接触孔的组成部分。本发明还公开了一
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117153862 A
(43)申请公布日 2023.12.01
(21)申请号 202311085729.9 H01L 21/336 (2006.01)
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