12期末考试题B答案.docVIP

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2023-12-03 发布于北京
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成都学院10级“微电子器件”期末考试题B卷（答案）一、填空题（20分） 1、在N型半导体中，（电子）为多数载流子，（空穴）为少数载流子。 2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（负）荷，N区一侧带（正）电荷。 3、势垒电容反映的是PN结的势垒区电离杂质电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（大）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（小）。 4、为了提高晶体管的基区输运系数，应当使基区宽度（远小于）基区少子扩散长度。 5、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数β是指，发射结（正）偏、集电结（零）偏时的（集电极）电流与（基极）电流之比。 6、当（KPmax）降到