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本申请提供一种高可靠性芯片及其制备方法，基于提供的基底并通过IR制程制备得到芯片结构，该芯片结构包括金属块，该金属块包括主体部分以及连接在主体部分上的拉丝部分。在芯片结构上涂覆光刻胶层并进行曝光显影，以使得光刻胶层包裹主体部分并暴露出拉丝部分。利用溶解溶液浸泡芯片结构，以溶解暴露出的拉丝部分，最后剥离芯片结构的主体部分上的光刻胶层。本方案中，在IR制程之后，增加一道光刻制程，并利用溶解溶液进行浸泡以消除拉丝部分，消除金属拉丝缺陷，避免形成的器件的短路或漏电异常情况，提高器件可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117153695 A
(43)申请公布日 2023.12.01
(21)申请号 202311109363.4
(22)申请日 2023.08.30
(71)申请人 厦门市三安集成电路有限公司
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