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.基本薄膜材料

名称：钇（Y）

黄中波 摘抄总结

透光范N蒸发温度蒸发源应用蒸汽成围（nm）（500nm）（℃）份250-8000179?

透光范

N

蒸发温度

蒸发源

应用

蒸汽成

围（nm）（500nm）（℃）

份

250-8000

179

?

2300-2500 电子枪

防反膜

名称：二氧化铈（CeO2

使用高密度的钨舟皿（较早使用）蒸发，在200℃的基板上蒸着

二氧化铈，得到一个约为2

2的折射率，在大约3000nm有一吸

?

收带其折射率随基板温度的变化而发生显著变化，在300℃基板

上500nm区域n=2

45，在波长短过400nm时有吸收，传统方法

?

蒸发缺乏紧密性，用氧离子助镀可取得n =2

3（550nm）的低吸

?

透光范围（

透光范围

（nm）

400-16000

N

蒸发温蒸发源

应用

杂气排

（500nm）

度（℃）

放量

235

?

约2000

电子枪

增透膜

多

名称：氧化镁（MgO）

必须使用电子枪蒸发因该材料升华，坚硬耐久且有良好的紫外线

（UV）穿透性。250nmn=186，190nm n=206，166nm时

? ?

K值为01，n=265，可能用作紫外线薄膜材料。Mg/MgF2膜堆

? ?

从200nm—400nm 区域透过性良好，但膜