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4H-SiCBJT功率器件新结构与特性研究的开题报告

一、题目：

4H-SiCBJT功率器件新结构与特性研究

二、研究背景及意义：

近年来，功率电子技术取得了长足的发展，功率器件市场需求持续增长，代价和功率器件应用领域也越来越广泛。目前，硅基功率器件已经成为最为广泛应用的功率器件，但随着功率器件的不断发展，硅基功率器件在一些场合下已经不能满足电力电子系统的要求，因此非硅功率器件的研究和应用已经成为当前国际学术研究的热点。

4H-SiCBJT（SiliconCarbideBipolarJunctionTransistor）作为非硅功率器件，具有开关速度快、耐高压、耐高温等优势，被广泛应用于工业应用。然而，4H-SiCBJT器件的电性能参数需要进一步改进，尤其是在控制失效、门阈电压和开关速度等方面需要进一步研究。因此，开展4H-SiCBJT器件新结构和特性的研究具有重要的理论和实际意义。

三、研究内容：

1.设计、制备和测试4H-SiCBJT器件新结构

2.探讨新型结构下的电性能参数，并分析其变化规律

3.对比经典结构，进一步分析新结构的优势和不足之处

4.提出进一步优化改进的建议，并展望4H-SiCBJT器件新结构的发展前景

四、研究方法：

本研究主要采用以下方法：

1.利用CVD制备4H-SiC单晶材料，进行深度腐蚀和制备4H-SiCBJT器件

2.利用KEIT