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本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光学临近效应修正建模方法及装置，方法包括：获取晶圆中至少一层膜层的修正标准范围，不同层膜层对应的修正标准范围不同；获取光学项内核库中的目标光学项内核及其对应的初始修正模型，目标光学项内核用于使至少一层的修正拟合程度成本函数满足对应的修正标准范围要求；获取数学项内核库中的目标数学项内核，使得根据目标数学项内核及初始修正模型得到的目标修正模型的幅值满足修正标准范围要求；幅值包括最大值及最小值；基于目标修正模型对晶圆进行光学临近效应修正建模，能够避免产生过度适
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117170175A
(43)申请公布日2023.12.05
(21)申请号202311453714.3
(22)申请日2023.11.03
(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司
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