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本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：提供一外延片，外延片包括P型半导体层；在P型半导体层的表面镀Al金属膜，以得到层叠于P型半导体层之上的反射层；将外延片放置于高温环境中，通入氧气等离子体对反射层进行氧化处理，以使反射层的表面氧化生成氧化层；依次循环在氧化层的表面镀Al金属膜与氧化处理多次，多层氧化层层叠构成包裹于反射层的电流阻挡层，以得到高反射电流阻挡层。本发明旨在通过制作既有光线反射功能又有电流阻挡功能的高反射电流阻挡层，其整体位于透明导电层之下，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117174798A
(43)申请公布日2023.12.05
(21)申请号202311457075.8
(22)申请日2023.11.03
(71)申请人江西兆驰半导体有限公司
地址3
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