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本发明公开了一种MOS基气敏材料及其制备方法和应用。所述MOS基气敏材料的制备方法按照如下步骤进行：步骤1：将目标MOS前驱体盐或者目标MOS前驱体盐和贵金属源溶解于极性溶剂中，形成均一溶液；再加入高分子聚合物在20~60℃环境下搅拌5~20小时形成均匀溶胶；步骤2：将得到的溶胶刮涂到硅油纸上成膜，然后迅速干燥；步骤3：将干燥的薄膜从硅油纸上揭下，研磨后置于马弗炉中分段煅烧，得到MOS基气敏材料。本发明提供的MOS基气敏材料可用于检测挥发性有机化合物中。本发明提供的MOS基气敏材料的制备方法提高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117169293A
(43)申请公布日2023.12.05
(21)申请号202311433819.2
(22)申请日2023.11.01
(71)申请人之江实验室
地址311121
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