基于高抑制度三维超表面的5.5G通信系统电磁去耦结构.pdfVIP

基于高抑制度三维超表面的5.5G通信系统电磁去耦结构.pdf

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本发明公开了一种基于高抑制度三维超表面的5.5G通信系统电磁去耦结构。该结构由多个相同的周期单元排列拼接而成,每个周期单元包括上天线层、中间垂直层和下天线层,上天线层和下天线层之间通过多个中间垂直层相连。上层介质的上表面和下层介质的下表面刻有十字形金属条带,并通过中间垂直层进行电连接。空间电磁波打向所述三维超表面后,由于十字形金属条带和垂直面之间的耦合作用产生了零点,对阻带频段内的电磁波有良好的抑制度,且不会对缝隙产生的通带进行干扰。本发明在具有较低的通带插损的同时,也具有较高的阻带抑制度、滚降

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117175217A

(43)申请公布日2023.12.05

(21)申请号202311079036.9

(22)申请日2023.08.24

(71)申请人浙江大学

地址310058

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