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一种半导体结构的制造方法.pdfVIP

一种半导体结构的制造方法.pdf

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    本发明公开了一种半导体结构的制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法至少包括：提供一衬底；在所述衬底上形成栅极、源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极暴露的硅表面沉积有金属层；对所述金属层进行退火处理，以生成金属硅化合物；采用第一化学药剂处理所述衬底，以去除未反应的所述金属层，所述第一化学药剂至少包含第一药剂和第二药剂中的一种，且所述第一药剂至少包含氰化物溶液；清洗所述衬底；采用第二化学药剂处理所述衬底；清洗并干燥所述衬底；以及对所述金属硅化合物进行第二退火处理，以生成自对准硅化物层。通过本发明

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117174584A

    (43)申请公布日2023.12.05

    (21)申请号202311436171.4

    (22)申请日2023.11.01

    (71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

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