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本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及基于钙钛矿吸光层的晶体管光电探测器。本发明基于钙钛矿吸光层的晶体管光电探测器，分为三种体系，在具备导电性的硅基底上，每种体系包括沟道功能层、电极以及钙钛矿吸光功能层，三种体系中各层按不同顺序依次相接触，实现晶体管器件的光探测，解决了传统钙钛矿晶体管光电探测器中对钙钛矿层材料的维度要求问题，使得从体材料到低维的钙钛矿材料均可适用于高性能的晶体管光电探测器。并且在有无光照下本发明晶体管光电探测器在晶体管关态区电流呈现显著差异，在循环测试中保持稳定的光暗态开关比。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117177593A
(43)申请公布日2023.12.05
(21)申请号202311006649.XH01L31/0216(2014.01)
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