(1.2)--电工电子技术第九章第二版.pptVIP

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电子技术由模拟电子技术和数字电子技术构成。;9.1半导体的导电特性;第9章半导体二极管和三极管;对于元器件,重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法,不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。;9.1半导体的导电特性;最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。它们的共同特征是四价元素,即每个原子最外层电子数为4个。;完全纯净的、具有晶体结构的半导体。;;自由电子和空穴都称为载流子。可见在半导体中有自由电子和空穴都能参与导电。;注意:

(1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差;

(2)温度愈高,载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以,温度对半导体器件性能影响很大。;9.1.2N型半导体和P型半导体;9.1.2N型半导体和P型半导体;杂质半导体的导电能力虽然比本征半导体极大增强,但它们并不能称为半导体器件。在电子技术中,PN结是一切半导体器件的“元概念”和技术起始点。;9.1.3PN结及其单向导电性;动画演示;2.PN结的单向导电性;PN结反向偏置时的情况;9.2二极管;;;;;;;;;9.3稳压二极管;3.主要参数;[例1]图中通过稳压管的电流IZ等于多少?R是限流电阻,其值是否合适?;9.4晶体管;9.4晶体管;基区:最薄,

掺杂浓度最低;三极管内部载流子的运动规律;9.4.2电流分配和放大原理;发射极是输入回路、输出回路的公共端;;(3)当IB=0(将基极开路)时,IC=ICEO,表中ICEO0.001mA=1?A。;9.4.3特性曲线;1.输入特性;2.输出特性;;当晶体管饱和时,UCE?0,发射极与集电极之间如同一个开关的接通,其间电阻很小;

当晶体管截止时,IC?0,发射极与集电极之间如同一个开关的断开,其间电阻很大;;IC;IC;9.4.4主要参数;2.集-基极反向截止电流ICBO;4.集电极最大允许电流ICM;;例9.4.2:UCE=6V时,在Q1点IB=40?A,IC=1.5mA;

在Q2点IB=60?A,IC=2.3mA。;例2:测得电路中三极管各极对地的电位值如下表所示,判断各管的工作状态及类型。;9.5光电器件;发光二极管(LED);光电二极管;光电晶体管

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