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CdS掺杂研究进展／李江波等·5·

CdS掺杂研究进展

李江波，胡文成，董东

(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都610054)

摘要介绍了国内外关于硫化镉(Cadmiumsulfide，CdS)在掺杂改性方面的研究现状，以及各种掺杂对硫化镉

特性的影响，重点讨论了掺杂浓度及掺杂种类对硫化镉结构和光学特性的影响，论述了材料组成、微观结构与特性之

间的关系。最后提出了在实际应用中存在的问题。

关键词硫化镉掺杂光学特性结构特性

ResearchProgressinDopingofCadmiumSulfide

LIJiangbo，HUWencheng，DONGDong

(StateKeyLabofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices，UniversityofElectronic

ScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054)

AbstractTheresearchprogressindopingofcadmiumsulfidematerialsisreviewed．Theeffectsofvarious

factorssuchasthekindsofdopingandconcentrationofdopingonthestructuralandopticalpropertiesareinvestigated．

Therelationsbetweencomposition，microstructureandpropertiesarediscussed．Theproblemsofdopingmodificationin

applicationarealsopresented．

Keywordscadmiumsulfide，doping，opticalproperties，structuralproperties

多，P型硫化镉和n型硫化镉可以制成同质结太阳能电池，有很

0引言

大的应用前景。

硫化镉是一种优良的Ⅱ一Ⅵ族宽禁带半导体光电材料，室温

2掺杂工艺对结构及光学特性的研究

下其禁带宽度约为2．42eV，具有光伏效应、窗口效应、声电效

应、能斯特效应、光电导效应等多种效应，因而在传感器l1]、发适量的掺杂可以改善硫化镉的性能，包括结构、光学性能、

光器件I4]、光学集成和储存器件l5等领域具有广阔的应用前景。电学性能。不同的掺杂离子和掺杂浓度对结构和光学性能具有

不少工作者对硫化镉的掺杂进行了大量的研究，通过掺杂可以不同的影响。

改性硫化镉的结构、光学、电学特性，促进其在宽谱光电器件的2．1直接掺杂硫化镉的研究进展

应用。本文综述了这方面的研究进展。2．1．1掺杂种类对光学性能的影响

引入的离子不同，薄膜的组分、结构、缺陷、颗粒尺寸大小、

1掺杂类型与导电类型

光电性能也将会有差别。ChuanweiCheng等l8研究了Mn2离

1．1掺杂类型