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改善Q-time的方法.pdfVIP

改善Q-time的方法.pdf

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    本发明提供一种改善Q‑time的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构自下而上包括NDC层、LK层、TiN层、PEOX层及BARC层；通过刻蚀工艺刻蚀所述BARC层、所述PEOX层及所述TiN层以形成沟槽；对刻蚀后的所述半导体结构进行清洗；对清洗后的所述半导体结构进行热处理；于所述沟槽的底部及侧壁形成保护层以等待进行后续工艺。通过本发明解决了现有的进行通孔光刻前因Q‑time超时导致晶圆产生聚合物缺陷的问题。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117198994A

    (43)申请公布日2023.12.08

    (21)申请号202311198831.X

    (22)申请日2023.09.15

    (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司

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