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一种互补场效应晶体管、其制备方法、存储器及电子设备.pdfVIP

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  • 2023-12-09 发布于四川
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一种互补场效应晶体管、其制备方法、存储器及电子设备.pdf

    一种互补场效应晶体管、其制备方法、存储器及电子设备。其中，该互补场效应晶体管中包括第一FET和第二FET，第一FET和第二FET中一个FET为N型FET，另一个FET为P型FET。由于第一FET和第二FET的沟道层均沿垂直方向环绕或部分环绕栅极设置，因此相比平面型的FET，本申请中第一FET和第二FET的水平投影面积均比较小。并且，将第一FET和第二FET堆叠设置，可以使得第一FET和第二FET的水平投影间距缩小至0，从而实现一种水平投影面积较小的CFET。并且，由于该CFET中两个FET的沟道

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117199073A

    (43)申请公布日2023.12.08

    (21)申请号202210579793.1

    (22)申请日2022.05.25

    (71)申请人华为技术有限公司

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