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五章存储器ppt课

件

5.1概述

CPU

CACHE

主存（内存）

辅存（外存）

第5章半导体存储器

半导体存储器的分类

静态SRAM

随机存取存

储器RAM

动态DRAM

半导体

存储器掩膜ROM

可编程序ROM

只读存储器

PROM

ROM

紫外线可擦除ROM

EPROM

电可擦除ROM

EEPROM

第5章半导体存储器

随机存取存储器RAM

组成单元速度集成度应用

SRAM触发器快低小容量系统

DRAM极间电容慢高大容量系统

第5章半导体存储器

只读存储器ROM

¨掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改

¨PROM：允许一次编程，此后不可更改

¨EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；

并允许用户多次擦除和编程

2

¨EEPROM（EPROM）：采用加电方法在

线进行擦除和编程，也可多次擦写

¨FlashMemory（闪存）：能够快速擦写的

EEPROM，但只能按块（Block）擦除

第5章半导体存储器

半导体存储器的主要指标

¨容量：每个存储器芯片所能存储的二进制

数的位数。

存储器容量＝单元数×每单元数据位数(1、4或8)

例：Intel2114芯片的容量为1K×4位，Intel6264芯

片为8K×8位。

注：微机（8/16/32/64位字长）

兼容8位机==以字节BYTE为单元

¨存取速度：只从CPU给出有效的存储器地

址到存储器给出有效数据需要的时

第5章半导体存储器

半导体存储器的主要指标

¨易失性指存储器的供电电源断开后，存

储器中的内容是否丢失

¨耗半导体存储器在额定工作电压下，

外部电源保证它正常工