硅光电池-赣南师范大学.PPT-.pptxVIP

光电子技术学课件之十三：

——第四章光辐射的探测技术（3）;一、pn结光伏探测器的工作模式;二、硅光电池——太阳电池;1.短路电流和开路电压;测量方法：在一定光功率（例如1kW/m2）照射下，使光电池两端开路，用一高内阻直流毫伏表或电位差计接在光电池两端，测量出开路电压；在同样条件下，将光电池两端用一低内阻（小于1Ω）电流表短接，电流表的示值即为短路电流。;2.光谱、频率响应及温度特性;光电池的频率特性不太好,原因有二：一是光电池的光敏面一般做的很大，导致结电容较大；二是光电池的内阻较低，而且会随输入光功率的大小变化。;三、光电二极管;1、Si光电二极管;p+n结构硅光电二极管(2CU);n+p结构硅光电二极管（2DU）：;（2）光谱响应特性和光电灵敏度;（3）伏安特性（V/R—V为直流负载线）;（4）频率响应特性;2.PIN硅光电二极管;本征层的电阻率很高，反偏电场主要集中在这一区域。高电阻使暗电流明显减少，在这里产生的光生电子-空穴对将立即被电场分离，并作快速漂移运动。;本征层的引入，明显增大了p+区的耗尽层的厚度，这有利于缩短载流子的扩散过程。耗尽层的加宽，也可以明显减少结电容Cj,从尔使电路常数减小。同时耗尽加宽还有利于对长波区的吸收。

性能良好的PIN光电二极管，扩散和漂移时间一般在10-10s数量级，频率响应在钱兆赫兹。实际应用中决定光电二极管的频率响应的主要