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本发明公开了一种具有PN结埋层的部分绝缘层上硅LDMOS晶体管，其包括衬底层、部分埋氧层和硅膜层；部分埋氧层设置在衬底层上；所述的PN结埋层设置在部分埋氧层和衬底层上。所述的PN结埋层包括并排设置且相互接触的P区埋层和N区埋层。硅膜层设置在PN结埋层上；所述的硅膜层包括源区、硅体、漂移区、隔离层、漏区和器件顶层；本发明在衬底层与硅膜层之间引入PN结埋层，在晶体管的P区和N区交界处引入新的电场尖峰，使其具有相对更均匀的电场分布，改善了器件的RESURF效应，增强了横向耐压，提高了器件的击穿电压。本
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117219650A
(43)申请公布日2023.12.12
(21)申请号202310448425.8
(22)申请日2023.04.24
(71)申请人杭州电子科技大学温州研究院有限
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