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- 2023-12-13 发布于四川
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本实用新型涉及微波器件领域，具体而言，涉及一种耦合结构及耦合装置，所述耦合结构包括主传输线和耦合部，所述耦合部包括电阻、耦合件、电容和衰减器；所述电阻的一端与耦合件连接，所述电阻的另一端接地；所述电容的一端与耦合件连接，所述电容的另一端接地；所述衰减器与电容并联连接，提供了一种隔离度高、反射小、有利于设备小型化的耦合结构。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220172352U
(45)授权公告日2023.12.12
(21)申请号202321552926.2
(22)申请日2023.06.19
(73)专利权人成都沃特塞恩电子技术有限公司
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