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2023-12-13 发布于四川
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本发明的实施例公开了一种芯片的分离方法，包括：将临时衬底临时键合到晶圆的第一面；减薄晶圆的第二面至预设厚度，其中，第一面和第二面彼此背离；在第二面的第一区域上形成金属层，其中，第一区域为芯片功能区域在第二面上的投影区域；对第二面进行刻蚀，在第二区域上形成贯穿晶圆的深硅槽，其中，第二区域为芯片非功能区域在第二面上的投影区域；将切割膜结合到晶圆的第二面上；移除临时衬底，将晶圆上的芯片沿深硅槽彼此分离。根据本发明，对晶圆第一面进行临时键合形成对减薄后的晶圆的支撑，进而可以在晶圆第二面上刻蚀贯穿晶圆的深

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117219580A

(43)申请公布日2023.12.12

(21)申请号202311213818.7

(22)申请日2023.09.20

(71)申请人苏州园芯微电子技术有限公司

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