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2023-12-13 发布于四川
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深沟槽电容器的形成方法.pdf

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本发明提供了一种深沟槽电容器的形成方法，包括：在衬底内形成深沟槽，在深沟槽内形成堆叠的氧化层和栅多晶硅层；在衬底的表面和衬底上的栅多晶硅的表面依次形成层间介质层、底部抗反射涂层和图案化的光刻胶层；使用图案化的光刻胶层，在刻蚀腔体内通入刻蚀气体C5F8、O2和Ar，并且设置刻蚀温度为35℃～45℃，依次刻蚀底部抗反射涂层和层间介质层，以在层间介质层和底部抗反射涂层中形成接触孔，接触孔的深宽比大于4；继续向刻蚀腔体内通入气体CF4、Ar和CO；继续向刻蚀腔体内通入O2。本发明去除了刻蚀层间介质层形成

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117219624A

(43)申请公布日2023.12.12

(21)申请号202311269014.9

(22)申请日2023.09.27

(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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