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电子科技大学微电子器件习题.docxVIP

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  • 2023-12-15 发布于河北
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电子科技大学微电子器件习题.docx

    电子科技大学微电子器件习题

    公司标准化编码[QQX96QT-XQQB89Q8-NQQJ6Q8-MQM9N]

    第二章PN结

    填空题

    1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA=×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓

    度p与平衡少子浓度n分别为（）和（）。

    p0p0

    2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。内建

    电场的方向是从（）区指向（）区。

    3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（

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