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本发明属于半导体存储器件领域，具体是涉及到一种基于可控Ge纳米晶的浮栅存储器件及其制备方法，从下至上依次制备p‑Si衬底层、氧化硅层、Ge纳米晶层、氧化物介电层和金属电极层，包括如下步骤：S1.基底的选择与处理；S2.金属催化剂的生长；S3.Ge纳米晶的生长；S4.氧化物介电层的沉积；S5.金属电极层的制备；本发明中通过改变金属催化剂在基底上的分布以及Ge纳米晶的生长温度、生长气压和生长时间来改变Ge纳米晶层中Ge纳米晶的形貌、尺寸及密度，进而可以有效的调控存储器件的性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117219511A
(43)申请公布日2023.12.12
(21)申请号202311055754.2C23C14/16(2006.01)
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