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本发明公开了一种IGBT元胞优化方法及IGBT元胞结构，包括在IGBT制备时在拐角处不掺杂N型源区使电流不流经拐角处；晶片本体、设置在所述晶片本体表面的沟槽主体、注入在所述晶片本体表面的N型注入区、设置在所述晶片本体表面的接触孔本体，以及设置在所述晶片本体表面的金属区。该IGBT元胞优化方法及IGBT元胞结构，通过在晶片上增加方形沟槽，可以降低导通状态下的电压降低，提高导通性能，同时在拐角处不进行N型源区的掺杂，减少电流集中现象，改善器件关断能力和耐压性能，通过优化电极结构确保电流均匀分布，降低
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117238947A
(43)申请公布日2023.12.15
(21)申请号202311046331.4
(22)申请日2023.08.18
(71)申请人南瑞联研半导体有
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