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- 2023-12-16 发布于四川
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在阵列中的OTP(一次性可编程)存储器单元,具有编程MOSFET以及对称地置于编程MOSFET的两侧中任一侧上的存取晶体管。存储器单元的平衡布局改进了光刻效应,带来了改进的工艺结果。对存储器单元进行编程的结果也得以改进。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN107492553A
(43)申请公布日
2017.12.19
(21)申请号20171
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