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本实用新型公开一种成膜过程中降低晶片表面污染的装置，包括反应室以及相连接的晶片承载基座和旋转轴，反应室上开设有供旋转轴伸入的连接口，旋转轴通过安装座与反应室转动连接，旋转轴具有可通入有保护气的中空腔，晶片承载基座位于反应室内部，晶片承载基座上设有与中空腔相连通的排气腔，排气腔与反应室的内壁之间存在环形排气间隔,连接口位于环形排气间隔的内周侧，排气腔上开设有若干均朝向环形排气间隔的第一排气口，各第一排气口呈环形排布，并位于环形排气间隔的外周侧；反应室内的反应气气压小于中空腔和排气腔内的保护气气压，
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220183433U
(45)授权公告日2023.12.15
(21)申请号202320198378.1
(22)申请日2023.01.16
(73)专利权人宁波恒普技术股份有限公司
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