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本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种正性光刻胶显影液及其制备方法和应用。正性光刻胶显影液，由如下重量千分比的组分组成：四丁基氢氧化铵100‑140‰、渗透剂6‑10‰、表面活性剂1‑3‰、缓蚀剂0.1‑0.3‰、抗显影过度剂9‑10‰、余量为水；所述抗显影过度剂由N‑（2‑羟乙基）乙二胺和柠檬酸铵复配而成。本申请中制得的正性光刻胶显影液，其有效兼顾了光刻胶剥离性和抗显影过度性，处理后的铜面和线路质量较优，即铜面不易发生氧化晶格歧化，线路不易出现细幼、开路等弊端。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117234044A
(43)申请公布日2023.12.15
(21)申请号202311005548.0G03F7/16(2006.01)
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