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- 2023-12-16 发布于四川
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本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一晶体管，该第一晶体管具有第一阈值电压并包括第一沟道、连接到第一沟道的相反的侧壁的第一源极/漏极层、以及围绕第一沟道并包括顺序堆叠的第一栅极绝缘图案、第一阈值电压控制图案和第一功函数金属图案的第一栅极结构。该半导体器件包括第二晶体管，该第二晶体管具有大于第一阈值电压的第二阈值电压，并包括第二沟道、连接到第二沟道的相反的侧壁的第二源极/漏极层、以及围绕第二沟道并包括顺序堆叠的第二栅极绝缘图案、第二阈值电压控制图案和第二功函数金属图案的第二栅极结构。第二阈
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN109524468A
(43)申请公布日
2019.03.26
(21)申请号20181
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