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本发明公开了一种异质结双极性晶体管，包括衬底和位于衬底上的HBT外延结构，所述HBT外延结构和所述衬底之间设置有Zn掺杂的AlGaAs/GaAs超晶格缓冲层。本发明的方案中，位于HBT外延结构和衬底之间的AlGaAs/GaAs超晶格缓冲层引入了一定量的Zn掺杂：一方面可以有效地提高AlGaAs/GaAs超晶格的禁带宽度和降低迁移率，由此提高了缓冲层的电阻率，能够隔离衬底寄生电容对HBT器件的影响，有效地提升了HBT器件的截止频率特性；另一方面又可以优化缓冲层的外延生长条件，提高V/III摩尔比参
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117238957A
(43)申请公布日2023.12.15
(21)申请号202311496420.9
(22)申请日2023.11.10
(71)申请人苏州晶歌半导体有限公司
地址2
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