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垂直型锗硅光电探测器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-12-16 发布于四川
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垂直型锗硅光电探测器及其制备方法.pdf

    本发明涉及光电探测器技术领域，具体公开了一种垂直型锗硅光电探测器及其制备方法，包括：硅衬底，以及依次形成在硅衬底上的氧化层、波导层、锗层和电极层；所述波导层包括轻掺杂区域和位于轻掺杂区域两侧的重掺杂区域，所述锗层形成在所述波导层的轻掺杂区域上，所述重掺杂区域的离子掺杂浓度大于所述轻掺杂区域的离子掺杂浓度；刻蚀结构，形成在所述波导层的轻掺杂区域；所述刻蚀结构的厚度等于所述波导层的厚度，且所述刻蚀结构的等效长度小于锗层的长度。本发明提供的垂直型锗硅光电探测器能够有效提升探测器的带宽。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117239002A

    (43)申请公布日2023.12.15

    (21)申请号202311512098.4

    (22)申请日2023.11.14

    (71)申请人无锡芯光互连技术

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