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一种基于氧化钛栅层的柔性薄膜晶体管制备工艺.pdfVIP

一种基于氧化钛栅层的柔性薄膜晶体管制备工艺.pdf

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    本发明涉及一种基于氧化钛栅层的柔性薄膜晶体管制备工艺，首先在PET衬底上通过磁控溅射的方法形成底栅电极ITO，然后通过低温磁控溅射的方法在柔性衬底上形成双层栅介质材料，在SOI上通过离子注入技术和高温热退火形成源漏有源区，然后利用反应离子刻蚀技术形成一系列的孔，利用氢氟酸进行湿法腐蚀去除掉SOI的埋氧层并将单晶硅薄膜转移到已经形成栅介质层和底栅电极的柔性衬底上，最后通过真空电子束蒸镀形成源漏金属电极，形成完整的柔性薄膜晶体管，溅射之前放置合适的靶材，进行抽真空操作，将腔室内的压强降低至9.0×1

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117253797A

    (43)申请公布日2023.12.19

    (21)申请号202311455013.3

    (22)申请日2023.11.03

    (71)申请人无锡卡伊教育科技有限公司

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